4.

Semi-conducteurs de types N et P

Un cristal de germanium ou de silicium contenant des impuretés de type donneur est appelé semi-conducteur négatif, ou semi-conducteur de type N. La présence d'impuretés de type accepteur produit un semi-conducteur positif de type P.

Pour obtenir un cristal contenant des zones de type N et de type P, on introduit dans un creuset contenant du germanium ou du silicium en fusion les impuretés de types donneur et accepteur, à différentes étapes de la formation du cristal. Le cristal obtenu dispose de deux zones distinctes, reliées par la jonction N-P. Cette jonction peut également être réalisée en plaçant un morceau d'impureté de type donneur contre la surface d'un cristal de type P, ou un morceau d'impureté de type accepteur contre un cristal de type N. La chaleur permet alors de répartir les atomes d'impuretés dans la couche externe du cristal.

Lorsqu'une tension externe est appliquée, la jonction N-P ne laisse passer le courant que dans un seul sens (voir Redressement). Si la zone de type P est connectée à la borne positive d'une batterie et que celle de type N est reliée à la borne négative, un courant important passe dans le matériau via la jonction. Si la batterie est connectée dans le sens opposé, le courant ne passe pas.